标准详细信息
碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 |
||||
| 标准编号：GB/T 32278-2025 | 标准状态： 即将实施 | 阅读打印版价格： 29.0 |
|
|
标准简介
适用范围：
本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法，包括接触式和非接触式测试方法。
本文件适用于厚度为0.13 mm⁓1 mm，直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm的碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。
本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。
本文件适用于厚度为0.13 mm⁓1 mm，直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm的碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。
本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。
标准编号：
GB/T 32278-2025标准名称：
碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法英文名称：
Test method for thickness and fltaness of monocrystalline silicon carbide wafers标准状态：
即将实施发布日期：
2015-12-10实施日期：
2026-02-01出版语种：
中文简体
替代以下标准：
GB/T 30867-2014,GB/T 32278-2015被以下标准替代：
引用标准：
GB/T 14264,GB/T 25915.1-2021,GB/T 30656,GB/T 43885采用标准：
采标名称：
采标程度：
标准类型：
CN标准属性：
GB标准编号：
32278起草人：
佘宗静、彭同华、何烜坤、王大军、王波、杨建、贺东江、吴殿瑞、刘小平、刘薇、黄宇程、胡动力、汪传勇、赵文琪、黄兴起草单位：
北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、连科半导体有限公司、长飞光纤光缆股份有限公司、派恩杰半导体(浙江)有限公司归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
