标准详细信息
LED外延芯片用砷化镓衬底 |
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| 标准编号：GB/T 30856-2025 | 标准状态： 即将实施 | 阅读打印版价格： 29.0 |
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标准简介
适用范围：
本文件规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底(以下简称“砷化镓衬底”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。
本文件适用于LED外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产、检测及质量评价。
本文件适用于LED外延芯片用砷化镓单晶衬底的生产、检测及质量评价。
标准编号：
GB/T 30856-2025标准名称：
LED外延芯片用砷化镓衬底英文名称：
GaAs substrates for LED epitaxial chips标准状态：
即将实施发布日期：
2014-07-24实施日期：
2026-02-01出版语种：
中文简体
替代以下标准：
GB/T 30856-2014被以下标准替代：
引用标准：
GB/T 191,GB/T 1555,GB/T 2828.1-2012,GB/T 4326,GB/T 6618,GB/T 6620,GB/T 6621,GB/T 6624,GB/T 8760,GB/T 11093,GB/T 13387,GB/T 13388,GB/T 14140,GB/T 14264,GB/T 14844,GB/T 20228采用标准：
采标名称：
采标程度：
标准类型：
CN标准属性：
GB标准编号：
30856起草人：
赵中阳、郑红军、冯佳峰、于会永、刘建庆、孙雪峰、张双翔、闫宝华、林作亮、刘强、马金峰、赵有文、赵春锋、彭璐、徐宝洲、兰庆、陈皇起草单位：
南京集溢半导体科技有限公司、中山德华芯片技术有限公司、广东先导微电子科技有限公司、全磊光电股份有限公司、山东浪潮华光光电子股份有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公司、北京大学东莞光电研究院、中国科学院半导体研究所、大庆溢泰半导体材料有限公司、易事达光电(广东)股份有限公司、深圳市冠科科技有限公司、广东中阳光电科技有限公司归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
