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半导体器件　金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
标准编号：GB/T 45719-2025	标准状态：即将实施	阅读打印版价格： 31.0

标准简介

适用范围：

本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法，该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。

基本信息

标准编号：
GB/T 45719-2025
标准名称：
半导体器件　金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
英文名称：
Semiconductor devices—Hot carrier test on metal-oxide semiconductor(MOS) transistors
标准状态：
即将实施
发布日期：
2025-05-30
实施日期：
2025-09-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
31.080.01
中标分类号：
L40

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：
采标名称：
《半导体器件　MOS晶体管的热载流子试验》
采标程度：
IDT

出版信息

页数：
16 页
字数：
14 千字
开本：
大大16 开
版次：
1
彩页数：
0
插页数：
有无电子版：
有
有无彩色图片：
无
纸质版出版日期：
2025-05-01 00:00:00.0

标准修订信息

有无修改单：
无
修改单备注：

其他信息

标准类型：
CN
标准属性：
GB
标准编号：
45719
起草人：
路国光、章晓文、林晓玲、游海龙、杨少华、彭超、肖庆中、韦覃如、来萍、梁斌、张魁、赵文斌、晋李华
起草单位：
工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、国防科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司电子第五十八研究所
归口单位：
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
提出部门：
中华人民共和国工业和信息化部
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

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