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半导体器件　金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验
标准编号：GB/T 45716-2025	标准状态：即将实施	阅读打印版价格： 31.0

标准简介

适用范围：

本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。

基本信息

标准编号：
GB/T 45716-2025
标准名称：
半导体器件　金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验
英文名称：
Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)
标准状态：
即将实施
发布日期：
2025-05-30
实施日期：
2025-09-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
31.080.01
中标分类号：
L40

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：
采标名称：
《金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳态试验》
采标程度：
IDT

出版信息

页数：
16 页
字数：
19 千字
开本：
大大16 开
版次：
1
彩页数：
0
插页数：
有无电子版：
有
有无彩色图片：
无
纸质版出版日期：
2025-05-01 00:00:00.0

标准修订信息

有无修改单：
无
修改单备注：

其他信息

标准类型：
CN
标准属性：
GB
标准编号：
45716
起草人：
恩云飞、高汭、章晓文、来萍、柴智、林晓玲、陈义强、周圣泽、高金环、任鹏鹏、都安彦、李伟聪、陈磊、冉红雷
起草单位：
工业和信息化部电子第五研究所、河北北芯半导体科技有限公司、上海交通大学、中科院微电子所、厦门芯阳科技股份有限公司、深圳市威兆半导体股份有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所
归口单位：
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
提出部门：
中华人民共和国工业和信息化部
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

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